Hochfrequenz-Entwicklungsingenieur (w/m/d)

Über den Bereich
Für den Bereich "Power Engineering & Electrical Safety" suchen wir zum nächstmöglichen Zeitpunkt eine*n "Hochfrequenz-Entwicklungsingenieur*in (w/m/d)" am Standort Ulm.
Im Bereich der Hardware-Entwicklungsbereich RF Equipment Engineering ist die Abteilung Power Engineering & Electrical Safety zuständig für die Entwicklung und Betreuung von Leistungsbaugruppen (Baugruppen im HF-Bereich als auch Baugruppen im NF-Bereich). Außerdem ist die Abteilung zuständig für die Sicherstellung und Beurteilung von Baugruppen hinsichtlich der elektrischen Sicherheit.
Die Aufgabe besteht in der Entwicklung von neuen Baugruppen und in der Betreuung von bereits entwickelten Baugruppen im HF-Bereich.

Ihre Aufgaben

• Planen, Konzipieren und Durchführen komplexer Entwicklungsarbeiten für Hochfrequenzgeräten bzw. Baugruppen aller Leistungsklassen
• Entwicklung und Design von Hochfrequenzschaltungen und Verstärkern aller Leistungsklassen
• Erstellung von Spezifikationen und Architektur
• Ableiten spezifischer Vorgaben (Funktions- und Betriebssicherheit)
• Dimensionierung und Auswahl geeigneter Bauteile
• Durchführung von Simulationen und Berechnungen zur Optimierung von Hochfrequenzschaltungen
• Produktentwicklung von Modulen, Baugruppen und Systemen bis zur Serienreife
• Verifikation des Entwicklungsergebnisses nach Prozessvorgaben
• Dokumentation der Entwicklungsprozesse sowie Erstellung technischer Berichte und Präsentationen
• Fertigungsbetreuung von bereits entwickelten Baugruppen
• Betreuung von Unterauftragnehmer und kontinuierliche Marktbeobachtung
• Typprüfungen zur elektrischen Sicherheit von Baugruppen/Anlagen auf Basis nationaler und internationaler Normen

Ihr Profil

• Abgeschlossenes Studium im Bereich Elektrotechnik, Nachrichtentechnik oder Hochfrequenztechnik oder vergleichbar
• Mehrjährige Erfahrung in der Durchführung von Entwicklungsvorhaben im Bereich von Leitungs-Hochfrequenzbaugruppen
• Erfahrung mit Simulationssoftware wie ADS, HFSS oder ähnlichen Tools
• Kenntnis der erforderlichen Halbleitertechnologien (GaN, SiC, GaAs, LDMOS)
• Stark ausgeprägte analytische und konzeptionelle Fähigkeiten
• Eigenverantwortliche und teamorientierte Arbeitsweise
• Sehr gute Deutsch- und Englischkenntnisse

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